下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

硅片拋光在原理上不可分為（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

下列是晶體的是（）。 

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

PN結(jié)的基本特性是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。