填空題金屬在固態(tài)下,隨溫度的改變,由()轉(zhuǎn)變?yōu)椋ǎ┑默F(xiàn)象稱為同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變。
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下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
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下列是晶體的是()。
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改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
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硅片拋光在原理上不可分為()
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一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
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