下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）