CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

下列是晶體的是（）。 

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）