懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。