如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

PN結的基本特性是（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

下列是晶體的是（）。 

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

硅片拋光在原理上不可分為（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；