下列是晶體的是（）。 

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。