A、SRAM有極高的讀寫速度及大容量
B、DRAM有極高的讀寫速度及大容量
C、SRAM有極高的讀寫速度,DRAM有更大的容量
D、DRAM有極高的讀寫速度,SRAM有更大的容量
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A、晶體振蕩電路的輸出電阻過(guò)低
B、示波器的頻帶寬度不夠
C、示波器的高頻等效阻抗偏低
D、示波器的高頻等效阻抗偏高
A、100MHZ
B、40MHZ
C、60MHZ
D、20MHZ
A、在脈沖峰峰值的0至90%處
B、在脈沖峰峰值的10%至90%處
C、在脈沖峰峰值的10%至100%處
D、在脈沖峰峰值的0%至100%處
A、前者靈敏度高,后者抗干擾能力強(qiáng)
B、前者靈敏度差,后者抗干擾能力強(qiáng)
C、前者靈敏度高,后者抗干擾能力差
D、前者靈敏度差,后來(lái)抗干擾能力差
A、(101001)2
B、(52)10
C、(00101001)BCD
D、(231)16
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標(biāo)識(shí)為224、1K5的電阻器,其電阻值為()
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