單項(xiàng)選擇題下列蝕刻系數(shù)數(shù)字中表示側(cè)蝕最嚴(yán)重的是()。

A.1:1
B.2:1
C.3:1
D.4:1


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1.單項(xiàng)選擇題蝕刻系數(shù)的表達(dá)式為()。

A.V×X
B.V/X
C.V+X
D.V-X

2.單項(xiàng)選擇題用來(lái)衡量側(cè)蝕量的大小程度的選項(xiàng)為()。

A.蝕刻系數(shù)
B.蝕刻速率
C.溶銅量
D.鍍層增寬

4.單項(xiàng)選擇題印制電路板蝕刻液蝕刻的對(duì)象是()。

A.覆銅箔板
B.環(huán)氧樹脂
C.鉆孔毛刺
D.阻焊油墨

5.單項(xiàng)選擇題在印制板上形成導(dǎo)電圖形的一般技術(shù)方式為()。

A.濕蝕刻
B.干蝕刻
C.淺蝕刻
D.深蝕刻

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細(xì)胞膜可控制離子的進(jìn)出,因此可讓所有離子都處于平衡狀態(tài)。

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在乙二腈電合成過(guò)程中,甲苯磺酸四乙銨鹽的加入可避免丙烯腈游離基離子的質(zhì)子化,提高乙二腈的產(chǎn)率。

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宿主材料

題型:名詞解釋

分離的空穴在移動(dòng)到電極表面后沒(méi)有因電極反應(yīng)而消耗,在電極表面聚集形成光電壓,降低能帶彎曲,時(shí)Fermi能級(jí)向平帶電位移動(dòng)。

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金屬有機(jī)化合物電合成過(guò)程中,通常由金屬有機(jī)化合物在陽(yáng)極發(fā)生氧化反應(yīng)得到金屬離子和烷基自由基,烷基自由基再于金屬發(fā)生反應(yīng)生成里另一種金屬有機(jī)化合物。

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