多項(xiàng)選擇題在OSPF網(wǎng)絡(luò)中，對(duì)于劃分區(qū)域的好處，下列描述正確的是（）。
A.減小LSDB的規(guī)模
B.減輕運(yùn)行SPF算法的復(fù)雜度
C.減少區(qū)域內(nèi)的路由條目
D.有利于路由進(jìn)行聚合
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1.單項(xiàng)選擇題VRP平臺(tái)上，OSPF內(nèi)部路由的默認(rèn)優(yōu)先級(jí)為（）。
A.10
B.1
C.110
D.120
2.多項(xiàng)選擇題IS-IS路由協(xié)議的接口開銷采用narrow-compatible方式時(shí)，當(dāng)收到開銷值為1024的路由時(shí)，存在可能的操作有（）。
A.丟棄該路由
B.接收該路由，cost值更改為1023
C.正常接收該路由
D.進(jìn)行路由重定向
4.單項(xiàng)選擇題IS-IS路由協(xié)議的接口開銷采用Narrow方式時(shí)，接口開銷的取值范圍是（）。
A.0～63
B.0～64
C.0～1023
D.0～1024
最新試題
放大電路的輸出信號(hào)產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。（）
題型：判斷題
關(guān)于PCI總線的描述，錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下哪種信號(hào)異常能用邏輯分析儀測(cè)試？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
題型：判斷題
本征半導(dǎo)體中加入（）元素可形成N型半導(dǎo)體。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
十進(jìn)制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運(yùn)算結(jié)果為：0x00。（）
題型：判斷題
通過U2000網(wǎng)管查詢OUT單板WDM性能可以看到（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
晶體管能夠放大的外部條件是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
DWDM設(shè)備OLP單板可以檢測(cè)的告警有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于SRAM和DRAM，下面說法正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題