單項(xiàng)選擇題硅二極管和鍺二極管的死區(qū)電壓分別約為（）

A.0.6V；0.6V
B.0.6V；0.1V
C.0.1V；0.6V
D.0.1V；0.1V


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1.單項(xiàng)選擇題

已知某FET的輸出特性如圖所示，試判別它是（）

A.P溝道增強(qiáng)型MOSFET
B.N溝道JFET
C.P溝道耗盡型MOSFET
D.N溝道耗盡型MOSFET

2.單項(xiàng)選擇題

某場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性如圖所示，則該管是（）

A.P溝道增強(qiáng)型MOSFET
B.P溝道JFET
C.N溝道增強(qiáng)型MOSFET
D.N溝道耗盡型MOSFET

3.單項(xiàng)選擇題N溝道JFET的跨導(dǎo)gm是（）

A.一個(gè)固定值
B.隨電源電壓VDD增加而加大
C.隨靜態(tài)柵源電壓VGS增加而加大
D.隨靜態(tài)柵源電壓VGS增加而減小

5.單項(xiàng)選擇題

電路如圖所示，若不慎將旁路電容Ce斷開，則將（）

A.不僅影響靜態(tài)工作點(diǎn)，而且也影響電壓增益。
B.只影響靜態(tài)工作點(diǎn)，但不影響電壓增益。
C.不影響靜態(tài)工作點(diǎn)，只影響電壓增益。
D.不影響靜態(tài)工作點(diǎn)，也不影響電壓增益。