單項(xiàng)選擇題根尖屏障術(shù)的正確操作步驟（）。

A.清理根管→置入MTA→-根管充填
B.清理根管→根管化學(xué)預(yù)備→置入MTA→根管充填
C.清理根管→置入MTA→根管充填→定期隨訪
D.清理根管→根管化學(xué)預(yù)備→置入MTA→根管充填→定期隨訪
E.清理根管→置入MTA→定期隨訪


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1.單項(xiàng)選擇題根尖誘導(dǎo)成形術(shù)正確的操作步驟是（）。

A.根管預(yù)備→藥物誘導(dǎo)→根管消毒→暫時充填→根管充填
B.根管預(yù)備→根管消毒→藥物誘導(dǎo)→暫時充填→隨訪觀察→根管充填
C.根管預(yù)備→根管消毒→藥物誘導(dǎo)→隨訪觀察→根管充填
D.根管預(yù)備→藥物誘導(dǎo)→暫時充填→隨訪觀察→根管充填
E.根管預(yù)備→根管消毒→藥物誘導(dǎo)→暫時充填→隨訪觀察

2.單項(xiàng)選擇題牙髓切斷術(shù)中上頜磨牙在確定髓腔入口部位時應(yīng)該制備窩洞的形狀是（）。

A.頰舌徑長，頰側(cè)近、遠(yuǎn)中徑短的圓三角形
B.頰舌徑短，頰側(cè)近、遠(yuǎn)中徑長的圓四邊形
C.頰舌徑與頰側(cè)近、遠(yuǎn)中徑等長的四邊形
D.頰舌徑長，頰側(cè)近、遠(yuǎn)中徑短的圓四邊形
E.頰舌徑與頰側(cè)近、遠(yuǎn)中徑等長的三角形

3.單項(xiàng)選擇題牙髓切斷術(shù)正確的操作步驟是（）。

A.隔濕患牙，去除齲壞組織→揭髓室頂→確定髓腔入口→切除冠髓→放置蓋髓劑→永久充填
B.隔濕患牙，去除齲壞組織→揭髓室頂→確定髓腔入口→放置蓋髓劑→永久充填
C.去除齲壞組織→揭髓室頂→確定髓腔入口→切除冠髓→放置蓋髓劑→永久充填
D.去除齲壞組織→確定髓腔入口→揭髓室頂→切除冠髓→放置蓋髓劑→永久充填
E.隔濕患牙，去除齲壞組織→確定髓腔入口→切除冠髓→放置蓋髓劑→永久充填

4.單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)符合牙髓切斷術(shù)適應(yīng)證（）。

A.根尖孔尚未發(fā)育完全，因機(jī)械性或外傷性露髓的年輕恒牙
B.根尖已發(fā)育完全，機(jī)械性或外傷性露髓，穿髓孔直徑不超過0.5mm的恒牙
C.齲源性、外傷性或機(jī)械性露髓，根尖未發(fā)育完成的年輕恒牙
D.齲源性露髓的乳牙
E.根尖已發(fā)育完全，機(jī)械性或外傷性露髓，穿髓孔直徑不超過1.0mm的恒牙

5.單項(xiàng)選擇題切除炎癥牙髓組織，以蓋髓劑覆蓋于牙髓斷面，保留正常牙髓組織的方法稱為（）。

A.直接蓋髓術(shù)
B.間接蓋髓術(shù)
C.根尖屏障術(shù)
D.根尖誘導(dǎo)成形術(shù)
E.牙髓切斷術(shù)

6.單項(xiàng)選擇題將蓋髓劑覆蓋在接近牙髓的牙本質(zhì)表面，以保存牙髓活力的方法稱為（）。

A.直接蓋髓術(shù)
B.間接蓋髓術(shù)
C.根尖屏障術(shù)
D.根尖誘導(dǎo)成形術(shù)
E.牙髓切斷術(shù)

7.單項(xiàng)選擇題直接蓋髓術(shù)正確的操作步驟是（）。

A.制備洞形→放置蓋髓劑→去除齲壞→充填
B.去除齲壞→制備洞形→放置蓋髓劑→療效觀察
C.去除齲壞→放置蓋髓劑→充填
D.去除齲壞→切除冠髓→放置蓋髓劑→永久充填
E.制備洞形→去除齲壞→放置蓋髓劑→療效觀察

8.單項(xiàng)選擇題下列哪一項(xiàng)不屬于常用蓋髓劑的性質(zhì)要求（）。

A.能促進(jìn)牙髓組織修復(fù)再生
B.對牙髓組織具有較好的生物相容性
C.有較強(qiáng)的殺菌或抑菌作用
D.有較強(qiáng)的滲透作用
E.藥效穩(wěn)定但可不持久

9.單項(xiàng)選擇題用藥物覆蓋牙髓暴露處，以保護(hù)牙髓、保存牙髓活力的方法稱為（）。

A.直接蓋髓術(shù)
B.間接蓋髓術(shù)
C.根尖屏障術(shù)
D.根尖誘導(dǎo)成形術(shù)
E.牙髓切斷術(shù)

10.單項(xiàng)選擇題患者，女，30歲，因左上后牙劇烈自發(fā)痛、夜間痛3天就診，疼痛放射至同側(cè)頭部。診斷：左上6急性牙髓炎。開髓后封“三聚甲醛”，氧化鋅暫封窩洞，但封藥后疼痛未緩解反而加重。以下哪一項(xiàng)與治療后疼痛無關(guān)（）。

A.開髓后未充分引流即封入失活劑
B.應(yīng)在開髓后封入三氧化二砷，使牙髓迅速失活
C.未穿通髓腔即封入失活劑
D.三聚甲醛移位，未與牙髓創(chuàng)面接觸
E.封藥時壓力過大