A.前者指令條數(shù)少，后者指令條數(shù)多
B.前者執(zhí)行速度慢，后者執(zhí)行速度快
C.前者有利于編譯生成優(yōu)化代碼，后者不便于編譯
D.前者指令功能簡(jiǎn)單，后者指令功能復(fù)雜
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A.程序計(jì)數(shù)器的內(nèi)容加上形式地址
B.基址寄存器的內(nèi)容加上形式地址
C.變址寄存器的內(nèi)容加上形式地址
D.變址寄存器的內(nèi)容加上基址寄存器的內(nèi)容
A.前者是訪問存儲(chǔ)器，后者是訪問寄存器
B.前者是確定程序轉(zhuǎn)移地址，后者取操作數(shù)
C.前者是確定程序執(zhí)行順序，后者是取操作數(shù)地址
D.前者是短指令，后者是長指令
A.可以實(shí)現(xiàn)操作碼的擴(kuò)展
B.實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)程序和程序控制
C.縮短指令長度、擴(kuò)大尋址空間、提高編程的靈活性
D.降低指令譯碼的難度
A.直接
B.間接
C.寄存器直接
D.寄存器間接
A.堆棧
B.立即
C.寄存器直接
D.寄存器間接
最新試題
將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。
存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒有。
計(jì)算機(jī)的I/O接口是（）之間的交接界面。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲(chǔ)信息的。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對(duì)于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號(hào)位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。