A.lw指令與sw指令的寄存器堆控制信號RegDst一定相同
B.lw指令與sw指令的控制信號MemtoReg可以不相同
C.lw指令與sw指令的擴展部件控制信號ExtOp可以不相同
D.lw指令與sw指令的數據存儲器控制信號MemWr可以不相同
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A.32除數寄存器
B.32位ALU
C.64位余數寄存器
D.32位余數寄存器
A.64位的除數寄存器
B.64位的余數寄存器
C.64位ALU
D.32位的商寄存器
A.是否完成了重復了33次循環(huán)
B.除數寄存器是否小于0
C.是否重復了31次循環(huán)
D.余數寄存器是否小于0
A.控制何時對被乘數寄存器進行移位
B.控制何時將新值寫入積寄存器
C.控制何時將乘積寄存器進行移位
D.控制何時對乘數寄存器進行移位
A.將加法器和被乘數寄存器位寬減半優(yōu)化面積
B.取消乘數寄存器
C.乘積寄存器需支持右移
D.將加法運算和兩個移位同時進行
最新試題
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
計算機的I/O接口是()之間的交接界面。
已知定點小數的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補,正確結果為()。
存儲器堆棧需要設置一個專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補,正確結果為()。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
由硬件實現的功能改由軟件模擬來實現的做法被稱為()
柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
計算機采用總線結構的好處是()。