RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。

（）又稱字選法，所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。

若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對(duì)系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個(gè)不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。（4）CPU通過（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過（）把信息寫入有關(guān)端口。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫的程序可以由（）進(jìn)行解釋。

在堆棧計(jì)算機(jī)中，保存操作數(shù)和運(yùn)算結(jié)果的唯一場(chǎng)所是（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個(gè)符號(hào)位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位，或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的（）操作來判斷。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為（）