單項(xiàng)選擇題單相半波可控整流電路,變壓器利用率低,且二次測通過含直流分量的電流,使變壓器存在()現(xiàn)象。

A.半控整流
B.電流降低
C.全控整流
D.直流磁化現(xiàn)象


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3.單項(xiàng)選擇題當(dāng)正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓時(shí),會使晶閘管()。

A.反向擊穿
B.正向?qū)?br/>C.硬導(dǎo)通
D.反向?qū)?/p>

4.單項(xiàng)選擇題電力電子技術(shù)的發(fā)展是以()為核心發(fā)展起來的。

A.晶閘管
B.電力電子器件
C.二極管
D.電力晶體管

5.單項(xiàng)選擇題以下三相交流調(diào)壓電路,適用于各種負(fù)載的是()。

A.負(fù)載Y 形連接帶中性線的三相交流調(diào)壓電路
B.晶閘管與負(fù)載連接成內(nèi)三角形的三相交流調(diào)壓電路
C.三個(gè)晶閘管接于Y 形負(fù)載中性點(diǎn)的三相交流調(diào)壓電路
D.三相三線交流調(diào)壓電路

6.單項(xiàng)選擇題IGBT 開關(guān)速度()電力MOSFET。

A.大于
B.等于
C.小于
D.不確定

7.單項(xiàng)選擇題型號為KK200-9的晶閘管額定電壓是()。

A.9V
B.90V
C.200V
D.900V