單項(xiàng)選擇題多絲正比電離室探測(cè)器是()

A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器


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1.單項(xiàng)選擇題間接FPD的信號(hào)轉(zhuǎn)化過(guò)程是()

A.X線-電信號(hào)-數(shù)字圖像
B.X線-可見(jiàn)光-電信號(hào)-數(shù)字圖像
C.X線-可見(jiàn)光-電信號(hào)-模擬圖像
D.X線-電信號(hào)-熒光屏-模擬圖像
E.X線-電信號(hào)-熒光屏-數(shù)字圖像

2.單項(xiàng)選擇題非晶硒FPD的優(yōu)點(diǎn)不包括()

A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無(wú)電離輻射

3.單項(xiàng)選擇題X線照射到直接FPD上時(shí),X線光子使非晶硒激發(fā)出()

A.可見(jiàn)光
B.電子空穴對(duì)
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線

4.單項(xiàng)選擇題FPD的中文全稱為()

A.影像板
B.平板探測(cè)器
C.光敏照相機(jī)
D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影

5.單項(xiàng)選擇題一般將IP上產(chǎn)生多少的照射量作為基礎(chǔ)的目標(biāo)照射量()

A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR

6.單項(xiàng)選擇題CR的第三象限英文簡(jiǎn)稱()

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

7.單項(xiàng)選擇題CR四象限理論中,第四象限對(duì)應(yīng)的曲線為()

A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵(lì)熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線

8.單項(xiàng)選擇題CR中EDR的中文全稱是()

A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器

10.單項(xiàng)選擇題CR中光激勵(lì)發(fā)光的波長(zhǎng)為()

A.100~200nm
B.390~490nm
C.290~390nm
D.200~300nm
E.190~290nm