單項(xiàng)選擇題多絲正比電離室探測(cè)器是（）

A.直接探測(cè)器
B.間接探測(cè)器
C.模擬探測(cè)器
D.平板探測(cè)器
E.動(dòng)態(tài)探測(cè)器


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1.單項(xiàng)選擇題間接FPD的信號(hào)轉(zhuǎn)化過(guò)程是（）

A.X線－電信號(hào)－數(shù)字圖像
B.X線－可見(jiàn)光－電信號(hào)－數(shù)字圖像
C.X線－可見(jiàn)光－電信號(hào)－模擬圖像
D.X線－電信號(hào)－熒光屏－模擬圖像
E.X線－電信號(hào)－熒光屏－數(shù)字圖像

2.單項(xiàng)選擇題非晶硒FPD的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.成像環(huán)節(jié)少
B.吸收率高
C.靈敏度高
D.量子檢出效率高
E.無(wú)電離輻射

3.單項(xiàng)選擇題X線照射到直接FPD上時(shí)，X線光子使非晶硒激發(fā)出（）

A.可見(jiàn)光
B.電子空穴對(duì)
C.熒光
D.正電子
E.低能X射線

4.單項(xiàng)選擇題FPD的中文全稱為（）

A.影像板
B.平板探測(cè)器
C.光敏照相機(jī)
D.平面回波序列
E.直接數(shù)字X線攝影

5.單項(xiàng)選擇題一般將IP上產(chǎn)生多少的照射量作為基礎(chǔ)的目標(biāo)照射量（）

A.1mR
B.10mR
C.100mR
D.1000mR
E.10000mR

6.單項(xiàng)選擇題CR的第三象限英文簡(jiǎn)稱（）

A.IPC
B.IRC
C.IRD
D.EDR
E.PSP

7.單項(xiàng)選擇題CR四象限理論中，第四象限對(duì)應(yīng)的曲線為（）

A.照片特性曲線
B.增感屏特性曲線
C.IP特性曲線
D.光激勵(lì)熒光物的特性曲線
E.FPD特性曲線

8.單項(xiàng)選擇題CR中EDR的中文全稱是（）

A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器

10.單項(xiàng)選擇題CR中光激勵(lì)發(fā)光的波長(zhǎng)為（）

A.100～200nm
B.390～490nm
C.290～390nm
D.200～300nm
E.190～290nm