A.增強(qiáng)型PMOS
B.增強(qiáng)型NMOS
C.耗盡型PMOS
D.耗盡型NMOS
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A.1
B.2
C.3
D.4
A.差，和
B.和，差
C.和，平均值
D.差，平均值
A.防止過熱燒壞
B.防止柵極感應(yīng)電壓過高而造成擊穿
C.防止漏，源間造成短路
D.以上都可能
A.場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻較高，三極管相對(duì)較低
B.場(chǎng)效應(yīng)管的溫度穩(wěn)定性好，三極管的測(cè)試穩(wěn)定性較差
C.場(chǎng)效應(yīng)管的D S間可等效為一電流控制電壓源，三極管的C E間可等效為一電流控制電流源
D.場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制型器件
A.e，b，c
B.b，c，e
C.c，b，e
D.b，e，c
最新試題
多級(jí)直接耦合放大器的輸出級(jí)通常是（）電路。
中頻放大器的諧振曲線越接近矩形，說明（）。
三種組態(tài)放大電路中，具有電壓反相作用的電路是：（）
單邊帶發(fā)射機(jī)的優(yōu)點(diǎn)是（）
行波系數(shù)等于1，說明（）。
3個(gè)輸入端的加法器，只用了兩個(gè)端，不用的一端應(yīng)（）。
不加反饋電路的集成運(yùn)算放大器只能做（）。
如圖所示電路，晶體管的β=100，rbe=1kΩ，Rc=3kΩ。1.現(xiàn)測(cè)得靜態(tài)管壓降UCEQ＝6V，試求Rb阻值。2.若測(cè)得和的有效值分別為1mV和100mV，求負(fù)載電阻RL大小。
組成多級(jí)放大器的目的是（）。
與變壓器耦合放大器相比，RC耦合放大器具有（）的特點(diǎn)。