鉛對(duì)60鉆的γ射線的半價(jià)層是1.25cm,若擋鉛的厚度是5cm,則擋鉛后面的劑量是擋鉛前的()
A.6.25%
B.12.5%
C.25%
D.50%
E.80%
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A.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成正比
B.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度成反比
C.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成正比
D.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)的溫度成反比
E.質(zhì)量吸收系數(shù)與吸收物質(zhì)密度及物理狀態(tài)無關(guān)
A.光電吸收系數(shù)
B.康普頓吸收系數(shù)
C.電子對(duì)吸收系數(shù)
D.上述三種吸收系數(shù)之和
E.上述三種吸收系數(shù)之差
A.平方反比規(guī)律
B.指數(shù)規(guī)律
C.算術(shù)級(jí)數(shù)
D.幾何級(jí)數(shù)
E.高斯級(jí)數(shù)
A.20kV低能X線
B.30kV低能X線
C.鈷γ線或高能X線
D.高能電子線
E.以上任意一種射線均可
A.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
B.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
C.10~30keV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
D.10~30keV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
E.10~30keV康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),30keV~25MeV電子對(duì)效應(yīng)占優(yōu)勢(shì),25~100MeV光電效應(yīng)占優(yōu)勢(shì)
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