圖10-15所示電路的戴維寧等效電路參數(shù)U和R應(yīng)為下列各組數(shù)值中的()。
A.3V,1.2Ω
B.3V,1Ω
C.4V,14Ω
D.36V,1.2Ω
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A.U=6V,R0=3Ω
B.U=8V,R0=3Ω
C.U=10V,R0=2Ω
D.不能確定
有源線性二端網(wǎng)絡(luò)如圖10-14a所示,已知I=3A。該網(wǎng)絡(luò)的等效電壓源如圖10-14b所示,其中U和R0的值為()。
A.3V,4Ω
B.6V,3Ω
C.-3V,4Ω
D.不能確定
圖10-13(a)所示電路的等效電壓源電路如圖10-13(b)所示,則圖(b)中的U和R0的值分別為()。
A.20V,6Ω
B.-4V,10Ω
C.-4V,6Ω
D.不能確定
實驗測得某有源二端線性網(wǎng)絡(luò)在關(guān)聯(lián)參考方向下的外特性曲線如圖10-11所示,則它的戴維南等效電壓源的參數(shù)U和R0分別為()。
A.2V,1Ω
B.1V,0.5Ω
C.-1V,2Ω
D.不能確定
A.無源電路
B.線性電路
C.非線性電路
D.不含電感、電容元件的電路
在圖10-10所示電路中,電壓UAB在開關(guān)S斷開后應(yīng)比開關(guān)S閉合時()。
A.增大
B.不變
C.減少
D.不能確定
在圖10-9所示電路中,已知:U=10V,I1=-4A,I2=1A。電流I3為()A。
A.1
B.2
C.3
D.不能確定
圖10-8所示電路中A點的電位為()V。
A.24.3
B.60.7
C.-24.3
D.-2.85
A.10
B.5
C.25
D.不能確定
A.50
B.100
C.25
D.不能確定
最新試題
在圖10-67所示電路中,開關(guān)S在位置1的時間常數(shù)為τ1,在位置2的時間常數(shù)為τ2,τ1和τ2的關(guān)系是()。
如圖10-78所示,一個圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì),內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm,外導(dǎo)體半徑R3=4cm,內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1,厚度為1cm,外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2,厚度為2cm,內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V(以外導(dǎo)體為參考點)。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強(qiáng)度相等,則外層2介質(zhì)上的電位差為()V。
真空中有一個半徑為a的均勻帶電球,其電荷體密度為ρ,帶電球內(nèi)的電場為()。
均勻傳輸線的原參數(shù):R0=6.5Ω/km,L0=2.29mH/km,C0=5.22×103pF/km,C0=0.5×10-6S/km,則傳輸線在頻率為1000Hz時的傳播速度v+、波長λ分別為()。
在圖10-69所示電路中,開關(guān)S在t=0瞬間閉合,若uC(0-)=5V,則uL(0+)=()V。
在圖10-85的區(qū)域中分布有兩種媒質(zhì),它們的磁導(dǎo)率分別為μ1=4μ,μ2=3μ0,在外部作用下交界面上A點下部磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2=12i+16j,則A點上部的磁感應(yīng)強(qiáng)度B1為()。
如圖10-71,半徑為a,電荷線密度ρ(r)為常數(shù)的均勻帶電圓環(huán)在軸線上的電場強(qiáng)度為()。
如圖10-75所不,兩無限大平行帶電平板,它們帶面密度為σ的異號電荷,兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為()。
半徑R0=0.5m的半球形接地電極,淺埋于電導(dǎo)率為γ=1.91×10-2S/m的土壤中(圖10-82),該半球電極的接地電阻為()Ω。
圖10-66所示電路在達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)后移動R1上的滑動觸點,該電路將產(chǎn)生過渡過程。這是因為()。