A.RAM
B.FLASH
C.動態(tài)MOS型RAM
D.EPROM
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.寬度增加
B.寬度減少
C.幅度增加
D.幅度減少
A.2n
B.n2
C.2×2n
A.2
B.4
C.6
D.8
A.10010101
B.0000100100000101
C.01011001
D.0000010100001001
A.與運算、或運算、非運算
B.加法運算、減法運算、乘法運算
C.與運算、或運算、異或運算
D.與非運算、或非運算、異或運算
A.短路保護
B.負(fù)載容量
C.電能質(zhì)量
D.過載保護
A.額定電壓的百分?jǐn)?shù)
B.線路壓降的百分?jǐn)?shù)
C.線路壓降比值的百分?jǐn)?shù)
D.額定電壓比值的百分?jǐn)?shù)
A.用電負(fù)荷
B.供電質(zhì)量
C.電源頻率
D.用戶數(shù)量
A.360
B.380
C.400
D.420
最新試題
電力電子器件工作頻率高,減小和減輕了裝置的體積和重量是因為()?
?以下屬于研究電力系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)運行方式性能的是()
?GTO、VDMOS、BJT、IGBT、IGCT,這五種器件為全控型器件。
下列電器中具有限制過電壓作用的是()
超導(dǎo)儲能裝置的作用有()
?電路遵循的基本定律主要有()
目前超導(dǎo)電機的主要研究對象是()?
晶閘管只能通過空穴載流子導(dǎo)電。
?超導(dǎo)輸電的優(yōu)點有()
?高壓電氣裝置要求絕緣材料有高的擊穿強度和低的介質(zhì)損耗;低壓電器則以機械強度、耐熱等作為主要要求。