單項選擇題衡量電壓質量的指標有()。
A.電壓偏移
B.電壓波動
C.電壓閃變
D.A、B和C
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1.單項選擇題當變壓器一次側直接與發(fā)電機相連接時,一次側的電壓等于()電網額定電壓。
A.100%
B.95%
C.105%
D.110%
2.單項選擇題電力系統電壓等級的劃分中()kV以上規(guī)定為高壓。
A.1
B.10
C.110
D.0.38
3.單項選擇題權電阻求和網絡DAC電路的最小輸出電壓是()。
A.0.5VLSB
B.VLSB
C.0.5VFSR
D.VFSR
4.單項選擇題PLA中的與門陣列和PAL中的與門陣列分別是()的。
A.可以編程,可以編程
B.可以編程,不可以編程
C.不可以編程,可以編程
D.均不可以編程
5.單項選擇題對于邏輯函數的化簡,通常是指將邏輯函數化簡成()。
A.最簡或與式
B.最簡與或式
C.最簡或非式
D.最簡與非式
6.單項選擇題三態(tài)門輸出高阻狀態(tài)時,()說法是不正確的。
A.相當于懸空
B.輸出端電阻極大
C.輸出電壓為0
D.輸出電壓值浮動在OV到5V的任意數值上
7.單項選擇題
在圖12-5中,電路的邏輯表達式為:()。
A.A
B.B
C.C
D.D
8.單項選擇題下列各種門電路中哪些可以將輸出端并聯使用(輸入端的狀態(tài)不一定相同)()。
A.具有推拉式輸出級的TTL電路
B.TTL電路的OC門
C.TTL電路的三態(tài)輸出門
D.普通的CMOS門
9.單項選擇題
在圖12-4中,正確的輸出信號表達式為:()。
A.Y=A
B.Y=1
C.Y=0
10.單項選擇題內核中程序要通過紫外線才能擦除的程序存儲器為()。
A.RAM
B.FLASH
C.動態(tài)MOS型RAM
D.EPROM
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