問答題與以P阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝相比，以N阱CMOS工藝為基礎(chǔ)的BiCMOS工藝有什么特點(diǎn)？
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
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什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？
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MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
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編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
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試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。
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版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
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在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題