單項(xiàng)選擇題PWM控制方式的優(yōu)點(diǎn)的有()。

A.采用固定的開關(guān)頻率
B.濾波電路復(fù)雜
C.輸出電壓寬范圍調(diào)節(jié)
D.不需要接預(yù)負(fù)載


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1.單項(xiàng)選擇題以下不屬于直流斬波電路的是()。

A.BOOST變換器
B.BUCK變換器
C.CUK斬波電路
D.整流電路

2.單項(xiàng)選擇題以下全控型電力電子器件中所需驅(qū)動電流最小的是()。

A.GTR
B.IGBT
C.MOSFET
D.晶閘管

3.單項(xiàng)選擇題以下全控型電力電子器件中通過電流最大的是()。

A.GTR
B.IGBT
C.MOSFET
D.晶閘管

4.單項(xiàng)選擇題以下不是防止MOSFET被靜電擊穿的措施的是()。

A.將電路存放在靜電包裝袋
B.焊接時(shí)電烙鐵應(yīng)斷電
C.測試儀器必須良好接地
D.用手直接將MOSFET放到測試臺上

5.單項(xiàng)選擇題以下不是引起IGBT的發(fā)生擎住效應(yīng)的原因是()。

A.集電極電流過大
B.電壓上升率過大
C.溫度升高
D.電源電壓過低

6.單項(xiàng)選擇題以下不是IGBT的管腳名稱的是()。

A.集電極
B.發(fā)射極
C.柵極
D.門極

7.單項(xiàng)選擇題以下不是IGBT的工作區(qū)域的是()。

A.正向阻斷區(qū)
B.有源區(qū)
C.負(fù)阻區(qū)
D.飽和區(qū)

8.單項(xiàng)選擇題以下不是MOSFET的管腳名稱的是()。

A.柵極
B.漏極
C.源極
D.基極

9.單項(xiàng)選擇題以下不是MOSFET的工作區(qū)域的是()。

A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.非飽和區(qū)
D.飽和區(qū)

10.單項(xiàng)選擇題以下不是GTR的管腳名稱的是()。

A.陽極
B.發(fā)射極
C.基極
D.集電極極

最新試題

全加器的輸出信號是()

題型:多項(xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。

題型:單項(xiàng)選擇題

下列受時(shí)鐘控制的是()

題型:單項(xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會產(chǎn)生飽和失真或截止失真。

題型:判斷題

碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型:判斷題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測量和自動控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。

題型:單項(xiàng)選擇題