在如圖所示FET放大電路中，已知V_DD＝20V，V_GS＝－2V，管子參數(shù)I_DSS＝4mA，V_P＝－4V。設(shè)C₁、C₂在交流通路中可視為短路。
（1）求電阻R₁和靜態(tài)電流I_D；
（2）求正常放大條件下R₂可能的最大值（提示：正常放大時，工作點落在放大區(qū)（即恒流區(qū)））；
（3）設(shè)r_ds可忽略，在上述條件下計算A_v和R₀。

電路如圖所示，設(shè)場效應(yīng)管的參數(shù)為g_m1＝0.7mS，λ₁＝λ₂＝0.01V^-1。場效應(yīng)管靜態(tài)工作時的偏置電流I_REF＝0.2mA。試求該CMOS共源放大電路的電壓增益A_v。

已知電路參數(shù)如圖所示，F(xiàn)ET工作點上的互導(dǎo)g_m＝1mS，設(shè)r_ds>>Rd。
（1）畫出電路的小信號等效電路；
（2）求電壓增益A_v；
（3）求放大器的輸入電阻R_i。

電路如圖所示，設(shè)場效應(yīng)管的參數(shù)為g_m1＝0.8mS，λ₁＝λ₂＝0.01V^-1。場效應(yīng)管的靜態(tài)工作電流I_D＝0.2mA。試求該共源放大電路的電壓增益。

電路如圖所示。設(shè)R＝0.75kΩ，R_g1＝R_g2＝240kΩ，R_s＝4kΩ。場效應(yīng)管的g_m＝11.3ms，r_ds＝50kΩ。試求源極跟隨器的源電壓增益A_vs＝v_o／v_s、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。