如圖所示,C1為33μF,充滿電后,把開關(guān)S由A移至B點(diǎn),則C1之電壓降為75V后達(dá)穩(wěn)定,假設(shè)C2之初電壓為零,則C2值為()
A.44μF
B.33μF
C.22μF
D.11μF
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A.1V
B.10V
C.100V
D.1000V
A.2.4μF
B.4.8μF
C.7.2μF
D.9.6μF
A.C1=300μF
B.C1=300F
C.C1與C2并聯(lián)之總電容量為900μF
D.C1與C2串聯(lián)之總電容量為900μF
A.平行極板間的距離
B.平行極板有效面積
C.介質(zhì)的介電常數(shù)
D.極板的電阻系數(shù)
如圖所示,有四個完全相同的電容器,其電容量皆為2μF,則()
A.0.5μF
B.1.5μF
C.2.0μF
D.6μF
最新試題
?關(guān)于正弦波振蕩電路,下列表述不合適的是()。
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯誤的是()。
一階動態(tài)電路中,下列關(guān)于換路定則表述最合理的一項(xiàng)是()。
?以下參數(shù)為運(yùn)放直流參數(shù)的是()。
關(guān)于基爾霍夫電流定律(KCL),下列描述錯誤的一項(xiàng)是()。
關(guān)于直流電路,下列描述錯誤的一項(xiàng)是()。
關(guān)于回路方程,下列描述錯誤的一項(xiàng)是()。
流過電容的電流與()成正比。
為了提高感性負(fù)載正弦穩(wěn)態(tài)交流電路中總電路的功率因數(shù),可以采取的措施為()。
關(guān)于電壓源和電流源,下列描述錯誤的一項(xiàng)是()。