單項選擇題溫度升高時,晶體管的擊穿電壓U(BR)CEO將()
A.升高
B.不變
C.降低
D.以上都可能
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1.單項選擇題晶體管的穿透電流ICEO大,說明其()
A.工作電流大
B.擊穿電壓高
C.壽命長
D.熱穩(wěn)定性差
2.單項選擇題晶體管的ICBO小,說明其()
A.工作電流大
B.擊穿電壓低
C.熱穩(wěn)定性好
D.壽命長
3.單項選擇題對濾波電路的敘述正確的是()。
A.電容濾波電路適用于大負載電流,電感濾波電路適用于大負載電流
B.電容濾波電路適用于小負載電流,電感濾波電路適用于小負載電流
C.電容濾波電路適用于大負載電流,電感濾波電路適用于小負載電流
D.電容濾波電路適用于小負載電流,電感濾波電路適用于大負載電流
4.單項選擇題理想運算放大器的各個參數(shù)分別是Aud=(),rid=(),CMRR=()。
A.無窮,無窮,無窮
B.0,0,0
C.無窮,0,無窮
D.0,無窮,0
5.單項選擇題對N溝道增強型場效應管作放大作用時,場效應管應工作在()區(qū)。
A.恒流區(qū)
B.可變電阻區(qū)
C.夾斷區(qū)
D.正向電壓
最新試題
場效應管的工作是通過()實現(xiàn)的。
題型:單項選擇題
單穩(wěn)態(tài)電路輸入一個脈沖后會輸出()個脈沖。
題型:單項選擇題
接收機中的揚聲器(耳機)是()的負載。
題型:單項選擇題
采用分壓式偏置電路后,()基本不隨溫度變化。
題型:單項選擇題
對于半導體材料,隨溫度升高:()
題型:單項選擇題
遲滯比較器回差電壓的大小體現(xiàn)了()。
題型:單項選擇題
當混頻器輸入信號的頻率增高一倍時,輸出中頻信號頻率()。
題型:單項選擇題
N溝道和P溝道結型場效應管所加的柵極控制電壓均為()。
題型:單項選擇題
()不需要加觸發(fā)信號就會產(chǎn)生輸出。
題型:單項選擇題
與混頻前的高頻相比中頻信號的()未發(fā)生變化。
題型:單項選擇題