單項選擇題光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
A.掩膜版
B.對準(zhǔn)和曝光
C.光刻機(jī)
D.光刻膠
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1.單項選擇題進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
A.堿溶液清洗
B.有機(jī)溶液清洗
C.HF結(jié)尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗
2.多項選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液
3.多項選擇題摻雜后，退火的目的是（）。
A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷
4.多項選擇題常壓的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法
5.單項選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
最新試題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題