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問答題 電路如題圖所示，已知場效應(yīng)管的低頻跨導(dǎo)為gm，試寫出Au、Ri和Ro的表達(dá)式。

1.問答題 場效應(yīng)管放大電路如題圖所示，電路參數(shù)V_DD=24V，R_D=56kΩ，R_G=1MΩ，R2=4kΩ場效應(yīng)管的V_P=-1V，I_DSS=1mA；若要求漏極電位V_D=10V，試求R1的值。

2.問答題 題圖（a）是一個場效應(yīng)管放大電路，（b）是管子的轉(zhuǎn)移特性曲線。設(shè)電阻R_G=1MΩ，R_D=R_L=18kΩ，電容C1、C2、C3足夠大。試問：
R_G、R_S、C₃的作用是什么？若要求V_GS=-2V，則Rs應(yīng)選多大？

3.問答題 題圖（a）是一個場效應(yīng)管放大電路，（b）是管子的轉(zhuǎn)移特性曲線。設(shè)電阻R_G=1MΩ，R_D=R_L=18kΩ，電容C1、C2、C3足夠大。試問：
所用的管子屬于什么類型？什么溝道？管子的I_DSS、V_P或V_T是多少？

4.問答題強(qiáng)型MOS管能否單獨(dú)用自給偏置的方法來設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)？為什么？試畫出用P溝道增強(qiáng)型MOS管構(gòu)成的共源電路，并說明各元件作用。

5.問答題 場效應(yīng)管放大器如題圖所示，若V_DD=20V，要求靜態(tài)工作點(diǎn)為I_DQ=2mA，V_GSQ=-2V，V_DSQ=10V，試求R_S和R_D