單項(xiàng)選擇題帶電阻性負(fù)載的單相半波可控整流電路輸出電壓波形只在電源()出現(xiàn)。

A.正半周
B.負(fù)半周
C.一次側(cè)繞組
D.二次側(cè)繞組


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1.單項(xiàng)選擇題晶閘管交流側(cè)過電壓保護(hù)常用措施有()。

A.并聯(lián)阻容吸收電路
B.利用閥型避雷器
C.具有穩(wěn)壓特性的非線性電阻器
D.以上都是

2.單項(xiàng)選擇題電力場效應(yīng)管(MOSFET)主要采用何種結(jié)構(gòu)形式?()

A.P 溝道耗盡型
B.P 溝道增強(qiáng)型
C.N 溝道耗盡型
D.N 溝道增強(qiáng)型

3.單項(xiàng)選擇題以下不是電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展方向的是()。

A.集成化
B.高效化
C.低壓化
D.智能化

4.單項(xiàng)選擇題以下哪些負(fù)載屬于電阻性負(fù)載()。

A.電爐
B.電感
C.蓄電池
D.直流電動(dòng)勢的電樞

5.單項(xiàng)選擇題下面哪個(gè)不屬于晶閘管的電極()。

A.陽極
B.陰極
C.門極
D.柵極

6.單項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止得臨界點(diǎn)是()。

A.峰點(diǎn)
B.谷點(diǎn)
C.轉(zhuǎn)折點(diǎn)
D.臨界點(diǎn)

8.單項(xiàng)選擇題在分析整流電路工作時(shí),認(rèn)為晶閘管(開關(guān)器件)為()。

A.半導(dǎo)體器件
B.可控硅器件
C.理想器件
D.放大器件