理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對漏源電流的控制能力。