A.100mA
B.50mA
C.45mA
D.90mA
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A.半波整流電路只有一個二極管且僅在正半周期導(dǎo)通
B.全波整流電路有2個二極管,而且無論是正半周期還是負(fù)半周期這2個二極管都處于導(dǎo)通狀態(tài),所以電能利用率較高
C.構(gòu)成橋式整流電路4個二極管無論在正半周期還是負(fù)半周期只有兩個對稱的二極管導(dǎo)通
D.構(gòu)成橋式整流電路4個二極管無論在正半周期還是負(fù)半周期只有兩個相鄰的二極管導(dǎo)通
A.R正≈R反≈0
B.R正≈R反≈∞
C.R正<R反
D.R正≈R反=有限值
A.結(jié)構(gòu)
B.材料
C.PN結(jié)面積
D.摻雜濃度
A.電容
B.電感
C.電阻
D.整流電路
A.內(nèi)電場的方向由N區(qū)指向P區(qū)
B.內(nèi)電場的方向由P區(qū)指向N區(qū)
C.內(nèi)電場方向取決于外加電壓是正向電壓還是反向電壓
D.內(nèi)電場方向與摻雜濃度有關(guān)
A.耗盡層里不含有自由電子
B.耗盡層不含有空穴
C.耗盡層既有自由電子又有空穴
D.耗盡層里既不含有自由電子也不含有空穴,所以叫耗盡層
A.擴散運動停止
B.漂移運動停止
C.擴散、漂移運動都停止
D.都不對
A.擴散運動占優(yōu)勢
B.漂移運動占優(yōu)勢
C.擴散運動與漂移運動相等
D.都不對
A.熱敏開關(guān)
B.光敏開關(guān)
C.整流二極管
D.續(xù)流二極管
A.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨溫度變化
B.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力受光線影響較大
C.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力受電場影響較大
D.半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力受磁場影響較大
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