A.峰的位置
B.峰的裂分
C.峰高
D.積分線高度
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A.CH4
B.CH3Br
C.CH3Cl
D.CH3F
A.由于磁的各向異性效應(yīng),使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在屏蔽區(qū)
B.由于磁的各向異性效應(yīng),使得乙烯、乙炔質(zhì)子都處在去屏蔽區(qū)
C、由于磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在去屏蔽區(qū),乙快質(zhì)子處在屏蔽區(qū)
D.由于磁的各向異性效應(yīng),使乙烯質(zhì)子處在屏蔽區(qū),乙快質(zhì)子處在去屏蔽區(qū)
A.化合物中不同質(zhì)子的種類數(shù)
B.同種類H的數(shù)目
C.相鄰碳上質(zhì)子的數(shù)目
D.化合物中雙鍵的個(gè)數(shù)及位置
A.屏蔽效應(yīng)較弱,相對(duì)化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)
B.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移較小,共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)
C.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在低場(chǎng)
D.屏蔽效應(yīng)較強(qiáng),相對(duì)化學(xué)位移較大,共振峰出現(xiàn)在高場(chǎng)
A.掃頻下的高頻,掃場(chǎng)下的高場(chǎng),化學(xué)位移δ值較小
B.掃頻下的高頻,掃場(chǎng)下的低場(chǎng),化學(xué)位移δ值較大
C、掃頻下的低頻,掃場(chǎng)下的高場(chǎng),化學(xué)位移δ值較大
D、掃頻下的低頻,掃場(chǎng)下的高場(chǎng),化學(xué)位移δ值較小
最新試題
ICP光譜干擾包括()。
紅外吸收法分析碳和硫時(shí),可以用同一個(gè)紅外池來檢測(cè)。
判定原子吸收光譜測(cè)量元素準(zhǔn)確度,必須根據(jù)與分析元素結(jié)果相接近的標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)定值。
空心陰極燈的安裝,可以不考慮燈腳的位置,裝上即可。
紅外吸收碳硫儀中有高、低量程的紅外池,高量程的池體短,相應(yīng)紅外光程短。
在鋼鐵常見元素中,能夠使用脈沖加熱惰氣熔融熱導(dǎo)法測(cè)量的是()。
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管式爐紅外線吸收法測(cè)定煤中硫含量,根據(jù)朗伯-比爾定律即可求出煤樣中的硫含量。
ICP所用的氣動(dòng)霧化器有三種基本類型,它們分別是()。
使用CS600測(cè)定純鐵中超低碳硫含量,控制分析空白是關(guān)鍵。