單項(xiàng)選擇題CaCO3·MgCO3是下列哪種礦物的分子式（）。
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
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1.單項(xiàng)選擇題黏土中混入的硫酸鹽主要是（）。
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
2.單項(xiàng)選擇題黏土中的氧化鎂含量應(yīng)小于（）。
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
3.單項(xiàng)選擇題在硅酸鹽水泥生產(chǎn)中，為便于配料又不摻硅質(zhì)校正原料，要求黏土質(zhì)原料的SiO2與Al2O3和Fe2O3之和之比最好為（）。
A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
4.單項(xiàng)選擇題按照[SiO4]4-的連接方式，石英有三種存在狀態(tài)，870℃以下穩(wěn)定存在的是（）
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
5.單項(xiàng)選擇題在鈉—鈣—硅酸鹽玻璃中，下列那項(xiàng)不是SiO2的作用？（）
A、降低熱膨脹系數(shù)
B、提高熱穩(wěn)定性
C、提高機(jī)械強(qiáng)度
D、補(bǔ)償坯體收縮作用
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題