單項(xiàng)選擇題淬火和退火同一玻璃的密度相比較，（）
A、前者大于后者
B、相同
C、前者小于后者
D、無(wú)法判斷
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1.單項(xiàng)選擇題下列氧化物中，加入過(guò)量會(huì)使玻璃的料性變短的是（）
A、SiO2
B、CaO
C、MgO
D、Na2O
2.單項(xiàng)選擇題扎哈里阿森（Zachariasen）提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中，氧多面體應(yīng)當(dāng)相互（）
A.共角
B.共棱
C.共面
D.不相聯(lián)
3.單項(xiàng)選擇題能夠單獨(dú)形成玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體的單鍵能一般大于（）
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
4.單項(xiàng)選擇題玻璃熔制的主要設(shè)備為（）。
A、立波爾窯
B、倒燃窯
C、池窯
D、輥道窯
5.單項(xiàng)選擇題一次風(fēng)占燃燒所需要空氣量的（）。
A、15％－30％
B、20％―50％
C、40％―60％
D、50％―70％
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題