單項選擇題從結(jié)構(gòu)上看，陶瓷組成相中不包含：（）
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
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1.單項選擇題普通玻璃中，煤粉的含率在生產(chǎn)上一般控制在：（）
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
2.單項選擇題配料計算中芒硝含率指：（）
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
3.單項選擇題玻璃的組成不包括：（）
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
4.單項選擇題KH，SM（），生料難道；反之易燒。SM，IM（）難燒，要求較高的燒成溫度。
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
5.單項選擇題從硅酸鹽水泥生產(chǎn)熟料實際組成來看，其氧化鈣的低限大約為：（）
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題