A、初始水解期
B、鈣礬石形成期
C、C3S水化期
D、結(jié)構(gòu)形成和發(fā)展期
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A、抗凍性
B、堿-集料反應(yīng)
C、抗炭化性
D、徐變性
A、穩(wěn)定性
B、可塑性
C、和易性
D、易密性
A.正方
B.立方
C.三斜
D.等軸
A、慢冷
B、室溫冷卻
C、急冷
D、先慢冷再急冷
A、堆積密度大
B、觸變性適當(dāng)
C、含水率和水分的均勻性好
D、流動性好
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。