單項選擇題多晶材料在高溫時，在恒定應(yīng)力作用下，由于形變不斷增加而導(dǎo)致斷裂稱為（）
A、相變斷裂
B、蠕變斷裂
C、擴(kuò)展斷裂
D、應(yīng)力斷裂
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1.單項選擇題絕大部分硫酸鹽對于硬化水泥漿體都有顯著的侵蝕作用，只有（）除外
A、硫酸鋇
B、硫酸亞鐵
C、硫酸鎂
D、硫酸鋁
2.單項選擇題水泥強(qiáng)度是硬化水泥石能承受外力破壞的能力，根據(jù)受力形式不同可分三種，（）除外。
A、剪切強(qiáng)度
B、抗壓強(qiáng)度
C、抗拉強(qiáng)度
D、抗折強(qiáng)度
3.單項選擇題水泥體積安定性直接反應(yīng)水泥質(zhì)量的好壞，（）不是影響安定性的主要因素。
A、游離氧化鎂
B、游離氧化鈣
C、石膏的摻入量
D、氧化鋁
4.單項選擇題（）是指水泥的一種不正常的早期固化或過早變硬現(xiàn)象。在水泥用水拌和的幾分鐘內(nèi)物料就顯示凝結(jié)，攪拌后又可恢復(fù)可塑性。
A、假凝
B、終凝
C、快凝
D、緩凝
5.單項選擇題水在水泥水化以及水泥漿體形成過程中起著重要作用。按其與固相組成的作用情況，可以分以下幾種類型，（）除外
A、結(jié)晶水
B、外加水
C、吸附水
D、自由水
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題