A、1
B、2
C、3
D、4
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A、梯度材料
B、智能材料
C、結(jié)構(gòu)材料
D、功能材料
A、抗壓,抗沖擊,抗拉
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C、抗壓,抗熱震,抗彎曲
D、抗折,抗壓,抗拉
A、快凝
B、假凝
C、終凝
D、初凝
A、溶解
B、消化
C、活化
D、降解
A、普通水泥
B、氧化鎂水泥
C、菱苦土水泥
D、氯化鎂水泥
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。