只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。