改良西門子法的顯著特點不包括（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

可用作硅片的研磨材料是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）