如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。