改良西門子法的顯著特點不包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

可用作硅片的研磨材料是（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）