單項(xiàng)選擇題ARM處理器當(dāng)前運(yùn)算操所產(chǎn)生的標(biāo)志位記錄在以下哪個(gè)寄存器中？（）。

A.PSP
B.MSP
C.SPSR
D.CPSR


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于ARM的工作狀態(tài)，以下說法正確的是（）。

A.ARM處理器的工作狀態(tài)包括ARM狀態(tài)和Thumb狀態(tài)兩種
B.ARM狀態(tài)支持16位指令寬度也支持32位指令寬度
C.Thumb狀態(tài)或Thumb-2狀態(tài)下，代碼密度低于ARM狀態(tài)，占用存儲(chǔ)空間變大
D.ARM處理器復(fù)位后自動(dòng)進(jìn)入ARM狀態(tài)

2.單項(xiàng)選擇題對(duì)于嵌入式處理器說法正確的是（）。

A.ARM處理器采用CISC和RISC相結(jié)合的結(jié)構(gòu)
B.嵌入式處理器都采用哈佛結(jié)構(gòu)
C.ARM處理器具有耗電省、功能強(qiáng)、成本低等特點(diǎn)
D.ARM處理器內(nèi)部的總線標(biāo)準(zhǔn)是PCIExpress

5.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體集成電路是微電子技術(shù)的核心。下面有關(guān)集成電路的敘述中錯(cuò)誤的是（）。

A.集成電路有小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、超大規(guī)模和極大規(guī)模等多種，嵌入式處理器芯片一般屬于大規(guī)模集成電路
B.集成電路的制造大約需要幾百道工序，工藝復(fù)雜且技術(shù)難度非常高
C.集成電路大多在硅襯底上制作而成，硅襯底是單晶硅錠經(jīng)切割、研磨和拋光而成的圓形薄片
D.集成電路中的電路及電子元件，需反復(fù)交叉使用氧化，光刻，摻雜和互連等工序才能制成