A.I→i→V
B.i→V→I
C.V→i→I
D.I→V→i
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A.大電流，試樣燒完
B.大電流，試樣不燒完
C.小電流，試樣燒完
D.先小電流，后大電流至試樣燒完
光柵公式
中的b值與下列哪種因素有關(guān)？（）
A.閃耀角
B.衍射角
C.譜級(jí)
D.刻痕數(shù)（mm-1）
A.大一倍
B.相同
C.小一倍
D.小兩倍
A.Si251.61─Zn251.58nm
B.Ni337.56─Fe337.57nm
C.Mn325.40─Fe325.395nm
D.Cr301.82─Ce301.88nm
A.材料本身的色散率
B.光軸與感光板之間的夾角
C.暗箱物鏡的焦距
D.光線的入射角
最新試題
選用ICP-AES分析鎳鐵中砷時(shí)，使用標(biāo)準(zhǔn)加入法可以不進(jìn)行背景校正。
直讀光譜儀使用一段時(shí)間后需要清理廢氣過(guò)濾器，廢氣過(guò)濾器需放置一段時(shí)間后才能打開(kāi)，以防自燃。
ICP矩焰形成通稱點(diǎn)火，和火焰原子吸收法一樣，都是把工作氣體點(diǎn)燃，形成高溫的火焰。
直讀光譜分析中檢查激發(fā)放電斑點(diǎn)，凝聚放電是好的，擴(kuò)散放電是不好的。
直讀光譜分析中，電極與試樣的距離對(duì)分析結(jié)果有影響。
碳硫分析儀器短期或長(zhǎng)期不使用時(shí)，應(yīng)間隔一段時(shí)間，開(kāi)一次機(jī)。
ICP-AES分析中的化學(xué)干擾，比起火焰原子吸收光譜或火焰原子發(fā)射光譜分析要輕微得多，因此化學(xué)干擾在ICP發(fā)射光譜分析中可以常常忽略不計(jì)。
金屬的直讀光譜分析使用的內(nèi)標(biāo)元素，通常為基體元素。
原子熒光法做檢出限測(cè)試時(shí)應(yīng)對(duì)空白樣品連續(xù)測(cè)定7次。
X射線熒光光譜玻璃熔片法中采用硝酸銨作為氧化劑，氧化劑只能以固體形式加入。