單項(xiàng)選擇題層壓組件時(shí)一般需要的時(shí)間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘


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3.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過(guò)程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長(zhǎng)速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑,可降低溫度

4.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽(yáng)電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

最新試題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

9個(gè)JK觸發(fā)器,通過(guò)電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

6進(jìn)制異步清零,最后一個(gè)計(jì)數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),其輸出電壓與兩個(gè)輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。

題型:判斷題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時(shí)反相端對(duì)地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題

從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來(lái)一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來(lái)表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型:判斷題