單項(xiàng)選擇題下列屬于制作非晶硅太陽電池常用的方法的是()。

A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法


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1.單項(xiàng)選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個(gè)方面()。

A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)

2.單項(xiàng)選擇題下列不是硅片主要切片方法的是()。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割

3.單項(xiàng)選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是()。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑

4.單項(xiàng)選擇題以下省份中,年平均日照射強(qiáng)度最高省份是()。

A.寧夏
B.河南
C.江蘇
D.海南

5.單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是()。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

最新試題

碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型:判斷題

如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()

題型:單項(xiàng)選擇題

全加器的輸入信號(hào)是()

題型:多項(xiàng)選擇題

3個(gè)JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:單項(xiàng)選擇題

本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。

題型:單項(xiàng)選擇題

將任意一個(gè)無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個(gè)循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個(gè)電路具有自起功能。

題型:判斷題

現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼,需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。

題型:判斷題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題

使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會(huì)下降。

題型:判斷題

電壓比較器的功能是,將一個(gè)模擬量輸入電壓,與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較,并將比較的結(jié)果輸出,它廣泛應(yīng)用于()等方面。

題型:多項(xiàng)選擇題