多項(xiàng)選擇題大功率晶體管GTR過電流保護(hù)有（）方式。

A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法


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1.多項(xiàng)選擇題關(guān)于二次擊穿，以下說法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會(huì)發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會(huì)發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過程很短暫

2.多項(xiàng)選擇題可關(guān)斷晶閘管GTO的門極電路由（）組成。

A.門極開通電路
B.門極關(guān)斷電路
C.門極反偏電路
D.RCD吸收電路

3.多項(xiàng)選擇題根據(jù)控制信號(hào)的不同性質(zhì)，電力電子器件可分為（）。

A.電阻型
B.電感型
C.電流型
D.電壓型

4.多項(xiàng)選擇題按載流子參與導(dǎo)電的情況，電力電子器件可分為（）。

A.單極型
B.雙極型
C.多極型
D.混合型

5.多項(xiàng)選擇題TTL集成電路和CMOS集成電路對(duì)輸入端的空腳處理是（）。

A.CMOS允許懸空
B.TTL不允許懸空
C.TTL允許懸空
D.CMOS不允許懸空