多項(xiàng)選擇題LEM模塊是快速過(guò)電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點(diǎn)。

A.直接測(cè)量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測(cè)量交流、直流和脈沖電流
C.與被測(cè)線路隔離
D.響應(yīng)速度快


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1.多項(xiàng)選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

2.多項(xiàng)選擇題以下集成電路（）是GTR的專(zhuān)用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

3.多項(xiàng)選擇題大功率晶體管GTR過(guò)電流保護(hù)有（）方式。

A.狀態(tài)識(shí)別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法

4.多項(xiàng)選擇題關(guān)于二次擊穿，以下說(shuō)法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會(huì)發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會(huì)發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過(guò)程很短暫

5.多項(xiàng)選擇題可關(guān)斷晶閘管GTO的門(mén)極電路由（）組成。

A.門(mén)極開(kāi)通電路
B.門(mén)極關(guān)斷電路
C.門(mén)極反偏電路
D.RCD吸收電路

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