只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）